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Resuelva el siguiente ejercicio: La energa de banda prohibida (bandgap) en ...
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Resuelva el siguiente ejercicio: La energía de banda prohibida (bandgap) en un semiconductor suele ser una función leve de la temperatura. En algunos casos, el bandgap se puede modelar mediante la siguiente ecuación: donde \( E_{g}(O) \) es el valor de la energía de la banda prohibida a \( T=O K \). Para el silicio, los valores de los parámetros son \( E_{g}(O)=1.17 \mathrm{eV}, a=4.73 \times 10^{-} \) \( 4 \mathrm{eV} / \mathrm{K} \) y \( b=636 \mathrm{~K} . \) - busque en internet los parámetros \( E_{g}(0) \), alfa y beta para los semiconductores Ge y GaAs. - Trace en una misma gráfica la curva Eg vs. T en el rango de \( 0 \leq \mathrm{T} \leq 800 \mathrm{~K} \) para los tres semiconductores Si, Ge y GaAs.